PMN28UN,135 - NXP
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图片信息
PMN28UN,135
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,6-TSOP
技术参数:
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
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PMN28UN,135 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMN28UN,135
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
系列:TrenchMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):34 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):740pF @ 10V
功率 - 最大值:1.75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
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