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PMK35EP,518 - NXP
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图片信息
PMK35EP,518 图片
PMK35EP,518
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，8-SO
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
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PMK35EP,518 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PMK35EP,518
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  • 系列：TrenchMOS
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 9.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：6.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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