PMK30EP,518 - NXP
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图片信息
PMK30EP,518
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,8-SO
技术参数:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
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PMK30EP,518 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMK30EP,518
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
系列:TrenchMOS
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 9.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2240pF @ 25V
功率 - 最大值:6.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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PMK30EP,518
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