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PMDPB65UP,115 - NXP
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图片信息
PMDPB65UP,115 图片
PMDPB65UP,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:6-HUSON（2x2）
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
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PMDPB65UP,115 技术参数详情：
  • 型号:PMDPB65UP,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:6-HUSON（2x2）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:520mW
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:6-HUSON（2x2）
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