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PMCM6501VNEZ - NXP
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图片信息
PMCM6501VNEZ 图片
PMCM6501VNEZ
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:6-WLCSP（1.48x0.98）
  • 技术参数：PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
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PMCM6501VNEZ 技术参数详情：
  • 型号:PMCM6501VNEZ
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:6-WLCSP（1.48x0.98）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:556mW（Ta），12.5W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x0.98）
  • 封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP
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