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PHC2300,118 - NXP
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图片信息
PHC2300,118 图片
PHC2300,118
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：场效应管阵列，8-SO
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
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PHC2300,118 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PHC2300,118
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
  • 系列：-
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：300V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：340mA，235mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.24nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：102pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：1.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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