PHB20NQ20T,118 - NXP
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图片信息
PHB20NQ20T,118
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,D2PAK
技术参数:
MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
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PHB20NQ20T,118 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PHB20NQ20T,118
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
系列:TrenchMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2470pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
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PHB20NQ20T,118
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