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PHB20N06T,118 - NXP
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图片信息
PHB20N06T,118 图片
PHB20N06T,118
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，D2PAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
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PHB20N06T,118 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PHB20N06T,118
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
  • 系列：TrenchMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20.3A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：483pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：62W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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