PH4530L,115 - NXP
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图片信息
PH4530L,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:LFPAK56,Power-SO8
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
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PH4530L,115 技术参数详情:
型号:PH4530L,115
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:LFPAK56,Power-SO8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1972 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳:SC-100,SOT-669
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PH4530L,115
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