PH3030AL,115 - NXP
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图片信息
PH3030AL,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,LFPAK56
技术参数:
MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK
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PH3030AL,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PH3030AL,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK
系列:TrenchMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2822pF @ 12V
功率 - 最大值:81W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8
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PH3030AL,115
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