PESD5V0V4UW,115 - NXP
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图片信息
PESD5V0V4UW,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
二极管TVS,SOT-665
技术参数:
TVS DIODE 5VWM 13VC SOT665
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PESD5V0V4UW,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PESD5V0V4UW,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TVS DIODE 5VWM 13VC SOT665
系列:-
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向关态(典型值):5V(最小值)
电压 - 击穿(最小值):6.4V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:13V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):1.5A(8/20s)
功率 - 峰值脉冲:16W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时的电容:12pF @ 1MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-665
供应商器件封装:SOT-665
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