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PESD5V0R1BSF - NXP
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图片信息
PESD5V0R1BSF 图片
PESD5V0R1BSF
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：TVS - 二极管，2-XFDFN
  • 技术参数：TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2
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PESD5V0R1BSF 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号: PESD5V0R1BSF
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2
  • 系列: TrEOS
  • 类型: 齐纳
  • 单向通道: -
  • 双向通道: 1
  • 电压 - 反向关态（典型值）: 5V（最小值）
  • 电压 - 击穿（最小值）: 6V
  • 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp: 9.2V（标准）
  • 电流 - 峰值脉冲（10/1000s）: 15A（100ns）
  • 功率 - 峰值脉冲: -
  • 电源线路保护: 无
  • 应用: 通用
  • 不同频率时的电容: 0.1pF @ 1MHz
  • 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 2-XFDFN
  • 供应商器件封装: DSN0603-2
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