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PEMZ1,115 - NXP
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图片信息
PEMZ1,115 图片
PEMZ1,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：晶体管阵列，SOT-666
  • 技术参数：TRANS NPN/PNP 40V 0.1A SOT666
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PEMZ1,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PEMZ1,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS NPN/PNP 40V 0.1A SOT666
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：-
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V
  • 功率 - 最大值：300mW
  • 频率 - 跃迁：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：SOT-666
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