PEMH30,315 - NXP
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图片信息
PEMH30,315
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
阵列预偏压式晶体管,SOT-666
技术参数:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
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PEMH30,315 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PEMH30,315
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
系列:-
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500A,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):1A
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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PEMH30,315
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