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PEMD19,115 - NXP
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图片信息
PEMD19,115 图片
PEMD19,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置，封装:-
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
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PEMD19,115 技术参数详情：
  • 型号:PEMD19,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 系列:*
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:-
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:-
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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