PEMD17,115 - NXP
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图片信息
PEMD17,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置,封装:-
技术参数:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
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PEMD17,115 技术参数详情:
型号:PEMD17,115
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
系列:*
包装:卷带(TR)
产品状态:南皇电子 停止提供
晶体管类型:-
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
电阻器 - 基极 (R1):-
电阻器 - 发射极 (R2):-
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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PEMD17,115
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