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PDZ6.2B,115 - NXP
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图片信息
PDZ6.2B,115 图片
PDZ6.2B,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:-
  • 技术参数：DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD323
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PDZ6.2B,115 技术参数详情：
  • 型号:PDZ6.2B,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD323
  • 系列:*
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗（最大值）(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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