射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
PDTD123EK,115 - NXP
NXP代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
NXP产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
PDTD123EK,115 图片
PDTD123EK,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管，封装:SMT3; MPAK
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
  • 需要PDTD123EK,115的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
PDTD123EK,115 技术参数详情：
  • 型号:PDTD123EK,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:SMT3; MPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 50mA，5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SMT3; MPAK
  • 快速提供PDTD123EK,115专业且全面的报价，NXP代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
NXP品牌LOGO
更多NXP产品：
NXP公司授权代理商
SolidRun
AKM
Free2Move
Mstar
Applied Kilovolts
PDTD123EK,115（制造商：NXP） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台