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PDTB123ES,126 - NXP
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图片信息
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PDTB123ES,126
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管，封装:TO-92-3
  • 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
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PDTB123ES,126 技术参数详情：
  • 型号:PDTB123ES,126
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:TO-92-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
  • 系列:-
  • 包装:带盒（TB）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 50mA，5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装:TO-92-3
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