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PDTA115EMB,315 - NXP
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图片信息
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PDTA115EMB,315
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单路预偏压式晶体管，3-DFN1006B
  • 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
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PDTA115EMB,315 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PDTA115EMB,315
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：100k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：100k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 250A，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：1A
  • 频率 - 跃迁：180MHz
  • 功率 - 最大值：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-XFDFN
  • 供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）
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