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PBSS5130QAZ - NXP
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图片信息
PBSS5130QAZ 图片
PBSS5130QAZ
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单路晶体管(BJT)，3-DFN
  • 技术参数：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
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PBSS5130QAZ 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PBSS5130QAZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：30V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：240mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：130 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大值：325mW
  • 频率 - 跃迁：170MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）
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