PBRP113ZT,215 - NXP
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图片信息
PBRP113ZT,215
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单路预偏压式晶体管,SOT-23
技术参数:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
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PBRP113ZT,215 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PBRP113ZT,215
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
系列:-
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):1k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):230 @ 300mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):750mV @ 6mA,600mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
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PBRP113ZT,215
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