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PBLS2003S,115 - NXP
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图片信息
PBLS2003S,115 图片
PBLS2003S,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置，封装:8-SO
  • 技术参数：TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 8-SO
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PBLS2003S,115 技术参数详情：
  • 型号:PBLS2003S,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 8-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA，3A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:150mV @ 500A，10mA / 355mV @ 300mA，3A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:1A，100nA
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
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