NX3008PBKW,115 - NXP
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图片信息
NX3008PBKW,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,SOT-323
技术参数:
MOSFET P-CH 30V SOT323
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NX3008PBKW,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:NX3008PBKW,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET P-CH 30V SOT323
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.72nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):46pF @ 15V
功率 - 最大值:260mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323
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NX3008PBKW,115
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