NX3008NBKV,115 - NXP
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图片信息
NX3008NBKV,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
场效应管阵列,SOT-666
技术参数:
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666
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NX3008NBKV,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:NX3008NBKV,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):400mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 15V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-666
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NX3008NBKV,115
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