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NX1029X,115 - NXP
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图片信息
NX1029X,115 图片
NX1029X,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：场效应管阵列，SOT-666
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
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NX1029X,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：NX1029X,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
  • 系列：-
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V，50V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：330mA，170mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.35nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：36pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：SOT-666
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