MRFE6VP6600GNR3 - NXP
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图片信息
MRFE6VP6600GNR3
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:OM-780G-4L
技术参数:
TRANS RF LDMOS 600W 50V
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MRFE6VP6600GNR3 技术参数详情:
制造商产品型号:MRFE6VP6600GNR3
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS RF LDMOS 600W 50V
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
零件状态:有源
晶体管类型:LDMOS(双)
频率:230MHz
增益:24.7dB
电压-测试:50V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流-测试:100mA
功率-输出:600W
电压-额定:133V
封装:OM-780G-4L
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