MRF6S19100HSR3 - NXP
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图片信息
MRF6S19100HSR3
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:NI-780S
技术参数:
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
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MRF6S19100HSR3 技术参数详情:
型号:MRF6S19100HSR3
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:NI-780S
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
描述:RF MOSFET LDMOS 28V NI780
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:LDMOS
配置:-
频率:1.99GHz
增益:16.1dB
电压 - 测试:28 V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流 - 测试:900 mA
功率 - 输出:22W
电压 - 额定:68 V
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:NI-780S
供应商器件封装:NI-780S
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