MHTG1200HSR3 - NXP
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图片信息
MHTG1200HSR3
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:NI-780S-4L
技术参数:
RF MOSFET GAN NI780
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MHTG1200HSR3 技术参数详情:
型号:MHTG1200HSR3
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:NI-780S-4L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
描述:RF MOSFET GAN NI780
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:GaN
配置:2 个 N 沟道
频率:2.4GHz ~ 2.5GHz
增益:-
电压 - 测试:-
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流 - 测试:-
功率 - 输出:300W
电压 - 额定:50 V
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:NI-780S-4L
供应商器件封装:NI-780S-4L
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