LZ1418E100R,114 - NXP
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图片信息
LZ1418E100R,114
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF晶体管,CDFM2
技术参数:
TRANSISTOR NPN POWER SOT443A
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LZ1418E100R,114 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:LZ1418E100R,114
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANSISTOR NPN POWER SOT443A
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):20V
频率 - 跃迁:1.6GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
增益:-
功率 - 最大值:45W
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):15 @ 2A,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A
安装类型:法兰
封装/外壳:SOT-443A
供应商器件封装:CDFM2
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