BZV85-C6V8,113 - NXP
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图片信息
BZV85-C6V8,113
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单齐纳二极管,DO-41
技术参数:
DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41
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BZV85-C6V8,113 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BZV85-C6V8,113
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41
系列:-
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V
容差:±5%
功率 - 最大值:1.3W
阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2A @ 4V
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1V @ 50mA
工作温度:-65°C ~ 200°C
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装:DO-41
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BZV85-C6V8,113
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