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BZV55-C12,115 - NXP
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图片信息
BZV55-C12,115 图片
BZV55-C12,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单齐纳二极管，LLDS;
  • 技术参数：DIODE ZENER 12V 500MW LLDS
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BZV55-C12,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BZV55-C12,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：DIODE ZENER 12V 500MW LLDS
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：12V
  • 容差：±5%
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：25 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 8V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOD-80C
  • 供应商器件封装：LLDS; MiniMelf
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