BZV55-B8V2,135 - NXP
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图片信息
BZV55-B8V2,135
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单齐纳二极管,LLDS;
技术参数:
DIODE ZENER 8.2V 500MW LLDS
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BZV55-B8V2,135 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BZV55-B8V2,135
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW LLDS
系列:-
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V
容差:±2%
功率 - 最大值:500mW
阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 200°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-80C
供应商器件封装:LLDS; MiniMelf
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