BZT52H-B75,115 - NXP
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图片信息
BZT52H-B75,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单齐纳二极管,SOD-123F
技术参数:
DIODE ZENER 75V 375MW SOD123F
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BZT52H-B75,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BZT52H-B75,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:DIODE ZENER 75V 375MW SOD123F
系列:-
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V
容差:±5%
功率 - 最大值:375mW
阻抗(最大值)(Zzt):175 欧姆
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-123F
供应商器件封装:SOD-123F
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BZT52H-B75,115
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