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BZT52H-B4V3,115 - NXP
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NXP产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
BZT52H-B4V3,115 图片
BZT52H-B4V3,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单齐纳二极管，SOD-123F
  • 技术参数：DIODE ZENER 4.3V 375MW SOD123F
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BZT52H-B4V3,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BZT52H-B4V3,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：DIODE ZENER 4.3V 375MW SOD123F
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：4.3V
  • 容差：±5%
  • 功率 - 最大值：375mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：95 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：3A @ 1V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOD-123F
  • 供应商器件封装：SOD-123F
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