射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
BUK9E1R6-30E,127 - NXP
NXP代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
NXP产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
BUK9E1R6-30E,127 图片
BUK9E1R6-30E,127
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:I2PAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  • 需要BUK9E1R6-30E,127的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
BUK9E1R6-30E,127 技术参数详情：
  • 型号:BUK9E1R6-30E,127
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:I2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）:±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16150 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:349W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:I2PAK
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • 快速提供BUK9E1R6-30E,127专业且全面的报价，NXP代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
NXP品牌LOGO
更多NXP产品：
NXP公司授权代理商
Yenyo
Matrix
Pericom
City Technology
BJ-USA
BUK9E1R6-30E,127（制造商：NXP） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台