BST52,115 - NXP
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图片信息
BST52,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单路晶体管(BJT),SOT-89-3
技术参数:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89
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BST52,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BST52,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89
系列:-
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A
电压 - 集射极击穿(最大值):80V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500A, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值):50nA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大值:1.3W
频率 - 跃迁:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商器件封装:SOT-89-3
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BST52,115
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