BSH103,235 - NXP
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图片信息
BSH103,235
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,SOT-23
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
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BSH103,235 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BSH103,235
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):850mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):83pF @ 24V
功率 - 最大值:540mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
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BSH103,235
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