BLS7G3135LS-200U - NXP
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图片信息
BLS7G3135LS-200U
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF场效应管,SOT502B
技术参数:
TRANS LDMOS S-BAND 200W LDMOST
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BLS7G3135LS-200U 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BLS7G3135LS-200U
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS LDMOS S-BAND 200W LDMOST
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:3.1GHz ~ 3.5GHz
增益:10dB
电压 - 测试:32V
额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
功率 - 输出:200W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502B
供应商器件封装:SOT502B
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