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BLP10H603AZ - NXP
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图片信息
BLP10H603AZ 图片
BLP10H603AZ
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：RF FET，-
  • 技术参数：TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON
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BLP10H603AZ 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号: BLP10H603AZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON
  • 系列: *
  • 晶体管类型: -
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
  • 频率: -
  • 增益: -
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 电压 - 测试: -
  • 额定电流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
  • 电流 - 测试: -
  • 功率 - 输出: -
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: -
  • 封装/外壳: -
  • 供应商器件封装:
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