BLL8H1214LS-250U - NXP
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图片信息
BLL8H1214LS-250U
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF FET,SOT-502B
技术参数:
TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502B
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BLL8H1214LS-250U 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: BLL8H1214LS-250U
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502B
系列: -
晶体管类型: LDMOS
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 1.2GHz ~ 1.4GHz
增益: 17dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 50V
额定电流: -
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 100mA
功率 - 输出: 250W
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 100V
封装/外壳: SOT-502B
供应商器件封装:
快速提供
BLL8H1214LS-250U
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