BLF8G10LS-300PJ - NXP
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图片信息
BLF8G10LS-300PJ
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF场效应管,SOT539B
技术参数:
TRANS RF 300W LDMOS SOT539B
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BLF8G10LS-300PJ 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BLF8G10LS-300PJ
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS RF 300W LDMOS SOT539B
系列:-
晶体管类型:LDMOS (双), 共源
频率:760.5MHz ~ 800.5MHz
增益:20.5dB
电压 - 测试:28V
额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:2A
功率 - 输出:65W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT539B
供应商器件封装:SOT539B
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