BLF8G10L-160,112 - NXP
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图片信息
BLF8G10L-160,112
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF场效应管,LDMOST
技术参数:
TRANSISTOR LDMOST
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BLF8G10L-160,112 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BLF8G10L-160,112
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANSISTOR LDMOST
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:920MHz ~ 960MHz
增益:19dB
电压 - 测试:30V
额定电流:56A
噪声系数:-
电流 - 测试:1.1A
功率 - 输出:35W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502A
供应商器件封装:LDMOST
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