BLF184GQ - NXP
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图片信息
BLF184GQ
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF FET,SOT-1214A
技术参数:
IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A
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BLF184GQ 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: BLF184GQ
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A
系列: -
晶体管类型: LDMOS(双),共源
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 108MHz
增益: 23.5dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 50V
额定电流: 1.4A
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 100mA
功率 - 输出: 650W
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 50V
封装/外壳: SOT-1214A
供应商器件封装:
快速提供
BLF184GQ
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