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BLF10H6600PU - NXP
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图片信息
BLF10H6600PU 图片
BLF10H6600PU
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：RF场效应管，SOT539A
  • 技术参数：MOSF RF DL 110V 8.5A LDMOS
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BLF10H6600PU 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BLF10H6600PU
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSF RF DL 110V 8.5A LDMOS
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS（双）
  • 频率：400MHz ~ 1GHz
  • 增益：20.8dB
  • 电压 - 测试：50V
  • 额定电流：8.5A
  • 噪声系数：-
  • 电流 - 测试：1.3A
  • 功率 - 输出：250W
  • 电压 - 额定：110V
  • 封装/外壳：SOT539A
  • 供应商器件封装：SOT539A
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