BLC9G27LS-150AVZ - NXP
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图片信息
BLC9G27LS-150AVZ
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
RF FET,-
技术参数:
TRANS RF LDMOS 150W SOT1275
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BLC9G27LS-150AVZ 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: BLC9G27LS-150AVZ
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: TRANS RF LDMOS 150W SOT1275
系列: *
晶体管类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: -
增益: -
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: -
额定电流: -
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: -
功率 - 输出: -
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: -
封装/外壳: -
供应商器件封装:
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BLC9G27LS-150AVZ
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