BAS21W,115 - NXP
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图片信息
BAS21W,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单二极管整流器,SOT-323
技术参数:
DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT323
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BAS21W,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BAS21W,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT323
系列:-
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250V
电流 - 平均整流 (Io):225mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 200mA
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V
不同 Vr、F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323
工作温度 - 结:150°C (最大)
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BAS21W,115
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