BAP1321LX,315 - NXP
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图片信息
BAP1321LX,315
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 射频,封装:DFN1006D-2
技术参数:
RF DIODE PIN 60V 130MW DFN1006D2
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BAP1321LX,315 技术参数详情:
型号:BAP1321LX,315
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:DFN1006D-2
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
描述:RF DIODE PIN 60V 130MW DFN1006D2
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
二极管类型:PIN - 单
电压 - 峰值反向(最大值):60V
电流 - 最大值:100 mA
不同Vr、F 时电容:0.28pF @ 20V,1MHz
不同If、F 时电阻:1.3 欧姆 @ 100mA,100MHz
功率耗散(最大值):130 mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
封装/外壳:2-XDFN
供应商器件封装:DFN1006D-2
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BAP1321LX,315
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