1PS59SB10,115 - NXP
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图片信息
1PS59SB10,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:SMT3; MPAK
技术参数:
DIODE SCHO 30V 200MA SMT3 MPAK
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1PS59SB10,115 技术参数详情:
型号:1PS59SB10,115
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:SMT3; MPAK
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE SCHO 30V 200MA SMT3 MPAK
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
电流 - 平均整流 (Io):200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr):5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 25 V
不同Vr、F 时电容:10pF @ 1V,1MHz
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3; MPAK
工作温度 - 结:125°C(最大)
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1PS59SB10,115
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