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NSI6602VA-Q1SWKR - NOVOSENSE
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图片信息
NSI6602VA-Q1SWKR 图片
NSI6602VA-Q1SWKR
  • 制造厂家：NOVOSENSE (纳芯微)
  • 类别封装：隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器，封装:14-SOIC
  • 技术参数：2-CHANNEL ISO GATE DRIVER
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NSI6602VA-Q1SWKR 技术参数详情：
  • 型号:NSI6602VA-Q1SWKR
  • 品牌:NOVOSENSE (NOVOSENSE,纳芯微)
  • 封装:14-SOIC
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:2-CHANNEL ISO GATE DRIVER
  • 系列:-
  • 包装:
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:5700Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）:150V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:75ns，75ns
  • 脉宽失真（最大）:30ns
  • 上升/下降时间（典型值）:13ns，13ns
  • 电流 - 输出高、低:3mA，3mA
  • 电流 - 峰值输出:5A，5A
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:2.1V
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:16 mA
  • 电压 -输出供电:15V ~ 32V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装:14-SOIC
  • 认证机构:CQC，UL，VDE
  • 快速提供NSI6602VA-Q1SWKR专业且全面的报价，NOVOSENSE代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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